Synthesis and characterization of In(O;OH)S/AgInS2 interface heterojunction - vallejo, william; Díaz Uribe, Carlos; Arredondo, Carlos Andrés; Luna, Mario Alberto; Hernández, Johann; Gordillo, Gerardo (Tecnura, 2014)
En este trabajo, presentamos algunos estudios complementarios para las películas delgadas In (O, OH) S depositadas en películas delgadas AgInS2 para fabricar un nuevo sistema de capa absorbente / capa buffer que se utilizará en tándem y / o en células solares de una unión. Como se demostró en trabajos previos llevados a cabo para nosotros, las capas de AgInS2 se cultivaron por co-evaporación a partir de precursores de metal en un proceso de dos pasos; y en (O, OH) S las películas delgadas se depositaron mediante deposición de baño químico. Las mediciones de difracción de rayos X indicaron que la película delgada de AgInS2 crecía con estructura de calcopirita; e In (O, OH) películas S crecidas con estructura policristalina. Las películas delgadas AgInS2 presentaron conductividad de tipo p, y desde las mediciones de tranductancia se encontró un alto coeficiente de absorción (mayor de 104 cm-1) y un intervalo de banda de energía de 1.95 eV ; y en (O, OH), las películas delgadas S presentaron Egabout 3.01 eV, el análisis morfológico indicó que bajo estas condiciones de síntesis, las películas delgadas en (O, OH) S recubrieron completamente la capa absorbente AgInS2. Finalmente, en este trabajo, se utilizó la ecuación de Avrami-Erofeev para estudiar la velocidad de crecimiento de la película fina In (O, OH) S sobre el sustrato AgInS2. Los resultados indican que el sistema desarrollado se puede usar en células solares de unión única y unión múltiple.