DOI:

https://doi.org/10.14483/2322939X.4065

Publicado:

2004-12-01

Número:

Vol. 1 Núm. 1 (2004)

Sección:

Investigación y Desarrollo

INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA

Autores/as

  • Valery Gachevski Universidad Distrital Francisco José de Caldas

Palabras clave:

Tensiones Elásticas, Deformación, Defectos, Dislocaciones. (es).

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Resumen (es)

Las investigaciones de la influencia de las operaciones de los procesos tecnológicos de fabricación de semiconductores en las tensiones elásticas de material y en los defectos puntuales y lineales son muy importantes para el desarrollo de electrónica.

En el presente artículo se realiza el resumen de los resultados científicos publicados en las revistas internacionales sobre las tensiones elásticas y sobre comportamiento de los defectos de la red cristalina durante procedimiento tecnológico de fabricación de las estructuras semiconductoras.

Referencias

Abermann P., Martinz H.P. Internal stress and structure of evaporated chromium and MgF2 films and their dependence on substrate temperature. - Thin Solid Films, 1984, v. 115, N 3, p. 185-194.

Draper Bruce L. Stress in sputtered TaSix films on polycrystalline silicon. - Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, N°9, p. 863-865.

Ishida T., Maeda K., Takeuchi S., A study of deformation-produced deep levels in n GaAs using deep level transient capacitance spectroscopy. - Appl. Phys., 1980, v. 21, N°3, p. 257- 261.

Kataoka Toshihiko, Colombo Luigi, Li J.C.M. Dislocation charge in Ca2+ - doped KCl. Effect of impurity concentration and temperature. – Phil. Mag., 1984, v. A49, N 3, p. 409-423.

Lendvay E., Lattice matched heterolayers. - Lecy. Notes Struct. Proc. Int. School, Matrafüred, Sept. 13-17, 1982, p. 163-179.

Koji T., Tseng W., Mayer J. Sidewall penetration of dislocations on ion implanted bipolar transistors. – Appl. Phys. Letters, 1978, v. 32, p. 749.

Schwuttke G.H. Silicon material problems in semiconductor device technology. – Microelectronics and Reliability, 1970, v. 9, N 5, p. 397.

Koji T., Tseng W., Mayer I., Saganuma T. Effects of CVD oxide on phosphorus diffused emitters in silicon. - IEEE Transact. On El. Dev., v. ED-26, N 9, p. 1310, 1979.

Isomae S. Dislocation generation at Si3H4 film edges on silicon substrates and viscoelastic behavior on SiO2 films. – J. Electrochemist. Soc., 1979, v. 126, N 6, p. 1014.

Pavlov E.A. and oth., La influencia en las propiedades eléctricas de las estructuras MOS de los campos locales de las tensiones elásticas en la frontera de conjugación Si-SiO2. – Radiotécnica y Electrónica, 1969, V, 14, N. 7, p. 1348.

Hazel R., Hearn E.W. Mechanical stress and electrical properties of MNOS devices as a function of the nitride de deposition temperature. – J. Electrochemist. Soc., 1978, v. 125, N 11, p. 1848.

Serebrinsky J.H. Stress concentration in silicon-insulator interfaces. – Solid-State Electronics, 1970, v. 13, N 11, p. 1435.

Timoshenko S. and J.N. Goodier. – Theory of Elasticity. McGraw-Hill, New York, 1951.

Matthews J.W., Mader S., Light T. – J. Appl. Phys., 1970, v. 41, N 9, p. 3800-3804.

Svetlihnyi A.M. Investigación de la influencia de las dislocaciones de incoherencia en las características de las junturas p-n. – Los procesos activables de la tecnología de microelectrónica, Taganrog, 1976, N2, p. 170.

Gachevski V.A., Soloviev V.A., Shermergor T.D., Distribución de impureza cerca los sistemas de dislocaciones situadas en la región de la frontera. Interacción de los defectos de la red cristalina y propiedades de metales. / Tula, TPI, 1982, p. 12-15.

Hu S.M., Klepner S.P., Schwenker R.O., Seto D.K. Dislocation propagation and emitter edge defects in silicon wafers. – J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 9, p. 4098-4106.

Mittennean A., Ghané J.P., André J.P. Defect characterization at the growth interface in GaAs epitaxy by metallographic and chloride depositions. – J. Electron. Matter. 1980, v. 9, N 2, p. 213-229.

Levine E., Washburn J., Thomas G. Diffusion-Induced Defects in Silicon. – J. Appl. Phys., 1967, v. 38, N 88, p. 81-95.

Tan T.Y., Tice W.K. Oxygen precipitation and the generation of dislocations in silicon. – Phil. Mag., 1976, N 4, p. 615-631.

Tungbluth E.D., Wang P. Process introduced structural defects and junction characteristics in NPN silicon epitaxial planar transistors. – J. Appl. Phys., 1965, v. 36, N 6, p. 1967-1973.

Marcinkowski M.J. The mechanism of cell wall formation. – Phys. Stat. Sol., 1984, v. A83, N 1, p. 59-68.

Nishizawa J., Oyama Y., Tadano H., Inokuchi K., Okuno Y. Observations of defects in LPE GaAs revealed by new chemical enchant. – J. Crystal Growth, 1979, v. 47, N 3, p. 434 - 436.

Glass H.L. Annealing-induced relief of compressive misfit strain in liquid phase epitaxial yttriumirongarnet films. – J. Crystal. Growth, 1977, v. 40, N 2, p. 205-213.

J. H. Van der Merwe, Proc. Phys. Soc., 1950, v. 63ª, p.616.

Tamura Masao, Sugita Yoshimitsu. Distribution and character of misfit dislocations in

homoepitaxial silicon crystals. – Jap. J. Appl. Phys., 1970, v. 9, N 4, p. 368-375.

Matthews J.W. Defects associated with the accommodation of misfit between crystals. – J. Vac. Sci. and Technol., 1975, v. 12, N 1, p. 126-133.

Basson T.H., Ball C.A., On the density of misfit dislocations in double- and triple-layer

heterojunction devices. – Phys. Stat. Sol.(a), 1978, v. 46, N 2, p. 707-715.

Ahearn J.s., Jr., Laird C., Ball C.A.B. The misfit dislocation structure of an InGaAs/GaAs heterojunction with low misfit. – Thin Sol. Films, 1977, v. 42, N 1, p. 117-125.

Ball C.A.B., Laird C. Energy of dislocation near an epitaxial interface. – Thin Solid Films, 1977, v. 41, N 1, p. 9-13.

Schoolar Richard B. Calculation of misfit dislocations and dangling bond densities in abrupt Hg1-xCdxTe heterojunctions. – Proc. Soc. Photo-opt. Instrument Eng., 1983, v. 409: Techn. Issues Infrared Detect. And Arrays Conf., Arlington, Va, Apr. 5-6, 1983, p. 32-34.

Shinohara K., Hirth J. The behavior of misfit dislocations during interdiffusion. – Thin Sol. Film, 1973, v. 16, p. 345-357.

Shinohara K., Hirth J. Forces Acting on Misfit Dislocations during Interdiffusion. – Phil. Mag., 1973, v. 27, p. 883-895.

Ueda Osamu, Komiya Satoshi, Yamazaki Susumi, Kishi Yutaka, Umebu Itsuo, Kotani Tsuyoshi. Transmission electron microscopic observation of misfit dislocations in InP/InGaAsP double-heterosrtuctures. – Jap. J. Appl. Phys., 1984, pt1, v. 23, N 7, p. 836-841.

Ayensu A., Achbee K.H.G. The creep of quartz single crystals, with special reference to the mechanism by which water accommodates dislocation glide. – Phil. Mag., 1977, v. 36, N 3, p. 713-723.

Booyens H., Vermaak J.S., Proto G.R. Dislocations and the piezoelectric effect in III-V crystals. - J. Appl. Phys., v. 48, N°7, p. 3008-3013, 1977.

Cavalini A., Gondi P., Castaldini A. Dislocation energy levels in Ge. – Phys. Stat. Sol., 1977, v. A43, N 2, p. K205-K208.

Tan T.Y., Gardner E.E., Tice W.K. Intrinsic getting by oxide precipitate induced dislocations in Chochralski Si. – Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, N 4, p. 175-176.

Gwinner D., Labusch R. Electrical effects on dislocations in gallium arsenide. - J. Phys., v. 40, Collog. N 6, p. 75-79, 1979.

Heydenreich J., Blumtrutt H., Gleichmann R., Johansen H. – Phil. Mag., 1953, V. 44, p. 92.

Collins Nigel. Dislocations and charge flow in the silver halides. – Radiat. Eff., 1983, v. 75, N 1-4: 4 Europhys. Top. Conf. Lattice Defects Ionic Crystal, Dublin, 29 aug. – 3. Sept., 1982, p. 217-226.

Suzuki K., Ichihara N., Takeuchi S., Nakagawa K., Maeda K., Iwanaga H. In situ TEM observation of dislocation motion in II-VI compounds. – Phil. Mag., 1984, v. A49, N 3, p. 451- 461.

De Lange O.L., Young C.J. Interaction between dislocation arrays. – Phys. Stat. Solidi, 1984, v. A84, N 2, p. 517-526.

Fuentes-Samaniego R., Gasca-Neri R., Hirth J.P. Solute drag on moving edge dislocations. – Phil. Mag., 1984, v. A49, N 1, p. 31.43.

Gomez A.N., Hirsch P.B. On the mobility of dislocations in germanium and silicon. – Phil. Mag., 1977, v. 36, N 1, p. 169-179.

Hu S.M. Dislocation pinning effect of oxygen atoms in silicon. – Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, N 2, 5. 53-55.

Suzuki Takayoshi, Nakamura Kazuc. Dislocation mobility in LiF at low temperatures. –Crystal Res. And Technol., 1984, v. 19, N 6, p. 845-852.

Tóth A., Keszthelyi T., Kálmán P., Sárközi J. Diffusion model for charge transport by moving dislocations in simple ionic crystals. – Phys. Status Solidi, 1984, v. B122, N 2, p. 501- 508.

Yokobori A.T., Jr., Yokobori T. and Kamei A. Computer simulation of dislocation emission from a stressed source. – Phil. Mag., 1974, v. 30, N 2, p. 367-378.

Head A.K. The interaction of dislocations and boundaries. – Phil. Mag., 1953, v. 44, p. 92.

Salamon N.J., Dundurs J.A. A circular glide dislocation loop in a two-phase material. – J. Phys. C: Solid State Phys., 1977, v. 10, N 4, p. 497-507.

Johnson W. C. Interaction of Dislocation with a misfitting precipitates. – J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 12, p. 33-34.

Cómo citar

IEEE

[1]
V. Gachevski, «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA», Rev. Vínculos, vol. 1, n.º 1, pp. 45–54, dic. 2004.

ACM

[1]
Gachevski, V. 2004. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Revista Vínculos. 1, 1 (dic. 2004), 45–54. DOI:https://doi.org/10.14483/2322939X.4065.

ACS

(1)
Gachevski, V. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Rev. Vínculos 2004, 1, 45-54.

APA

Gachevski, V. (2004). INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Revista Vínculos, 1(1), 45–54. https://doi.org/10.14483/2322939X.4065

ABNT

GACHEVSKI, Valery. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Revista Vínculos, [S. l.], v. 1, n. 1, p. 45–54, 2004. DOI: 10.14483/2322939X.4065. Disponível em: https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065. Acesso em: 19 abr. 2024.

Chicago

Gachevski, Valery. 2004. «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA». Revista Vínculos 1 (1):45-54. https://doi.org/10.14483/2322939X.4065.

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Gachevski, V. (2004) «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA», Revista Vínculos, 1(1), pp. 45–54. doi: 10.14483/2322939X.4065.

MLA

Gachevski, Valery. «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA». Revista Vínculos, vol. 1, n.º 1, diciembre de 2004, pp. 45-54, doi:10.14483/2322939X.4065.

Turabian

Gachevski, Valery. «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA». Revista Vínculos 1, no. 1 (diciembre 1, 2004): 45–54. Accedido abril 19, 2024. https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065.

Vancouver

1.
Gachevski V. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Rev. Vínculos [Internet]. 1 de diciembre de 2004 [citado 19 de abril de 2024];1(1):45-54. Disponible en: https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065

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