DOI:

https://doi.org/10.14483/2322939X.4065

Publicado:

2004-12-01

Número:

Vol. 1 Núm. 1 (2004)

Sección:

Investigación y Desarrollo

INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA

Autores/as

  • Valery Gachevski Universidad Distrital Francisco José de Caldas

Palabras clave:

Tensiones Elásticas, Deformación, Defectos, Dislocaciones. (es).

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Resumen (es)

Las investigaciones de la influencia de las operaciones de los procesos tecnológicos de fabricación de semiconductores en las tensiones elásticas de material y en los defectos puntuales y lineales son muy importantes para el desarrollo de electrónica.

En el presente artículo se realiza el resumen de los resultados científicos publicados en las revistas internacionales sobre las tensiones elásticas y sobre comportamiento de los defectos de la red cristalina durante procedimiento tecnológico de fabricación de las estructuras semiconductoras.

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Cómo citar

IEEE

[1]
V. Gachevski, «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA», Rev. Vínculos, vol. 1, n.º 1, pp. 45–54, dic. 2004.

ACM

[1]
Gachevski, V. 2004. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Revista Vínculos. 1, 1 (dic. 2004), 45–54. DOI:https://doi.org/10.14483/2322939X.4065.

ACS

(1)
Gachevski, V. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Rev. Vínculos 2004, 1, 45-54.

APA

Gachevski, V. (2004). INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Revista Vínculos, 1(1), 45–54. https://doi.org/10.14483/2322939X.4065

ABNT

GACHEVSKI, Valery. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Revista Vínculos, [S. l.], v. 1, n. 1, p. 45–54, 2004. DOI: 10.14483/2322939X.4065. Disponível em: https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065. Acesso em: 23 abr. 2024.

Chicago

Gachevski, Valery. 2004. «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA». Revista Vínculos 1 (1):45-54. https://doi.org/10.14483/2322939X.4065.

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Gachevski, V. (2004) «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA», Revista Vínculos, 1(1), pp. 45–54. doi: 10.14483/2322939X.4065.

MLA

Gachevski, Valery. «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA». Revista Vínculos, vol. 1, n.º 1, diciembre de 2004, pp. 45-54, doi:10.14483/2322939X.4065.

Turabian

Gachevski, Valery. «INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA». Revista Vínculos 1, no. 1 (diciembre 1, 2004): 45–54. Accedido abril 23, 2024. https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065.

Vancouver

1.
Gachevski V. INFLUENCIA DE PROCESOS TECNOLÓGICOS DE MICROELECTRÓNICA EN TENSIONES ELÁSTICAS Y EN DEFECTOS DE LA RED CRISTALINA. Rev. Vínculos [Internet]. 1 de diciembre de 2004 [citado 23 de abril de 2024];1(1):45-54. Disponible en: https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/vinculos/article/view/4065

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