DOI:
https://doi.org/10.14483/2322939X.4074Publicado:
2013-07-08Número:
Vol. 1 Núm. 2 (2005)Sección:
Investigación y DesarrolloDISLOCACIONES EN MATERIAL DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
Palabras clave:
tensiones elásticas, dislocaciones, impureza, vibraciones. (es).Descargas
Resumen (es)
Las tensiones elásticas relacionadas con dislocaciones cambian varias propiedades del material, y su efecto en características de una estructura cristalina es multiforme.
En el presente artículo se realiza un análisis de los resultados de las investigaciones científicas publicados en las revistas internacionales, relacionadas con dislocaciones en las estructuras de capas múltiples y con la redistribución de impureza en el campo de las tensiones elásticas, relacionadas, a su vez, con dislocaciones y con la influencia de estas tensiones en las vibraciones elásticas.
Referencias
Arata H, Sato J, Suzuki J. Dislocation network introduced by diffusion of phosphorus in silicon. Phys. Abstr. 1966; 69 (823). pp. 21051-21056.
Kumar K, Takegi M. X-ray topographic study of defects on GaAs epi-layers grown by liquid phase epitaxial method. Jap. J. Appl. Phys. 1977; 16 (6). pp. 957-964.
Ahearn JS, Leard C. Transmission electron microscopy observations of misfit dislocations in GaAs epitaxial films. J. Mater. Sci. 1977; 12 (4). pp. 699-707.
Kotani T, Ueda O, Akita K, Nishitani Y, Kusunoki T, Rauzan O. Direct observation of defects in Si-doped and Ga-doped Ga0.9Al0.1As epitaxial layers by transmission electron microscopy. J. Crystal Growth 1977; 38 (1). pp. 85-92.
Bartels WJ, Nijman WJ. Asymmetry of misfit dislocations in the heteroepitaxial layers on (001) GaAs substrates. J. Crystal Growth 1971; 37 (3). pp. 204-214.
Holt DB. Misfit dislocations in semiconductors. J. Phys. Chem. Sol. 1966; 27 (6/7), pp. 1053-1067.
Hartley CS. The stress fields of uniformly spaced infinite edge dislocation arrays in a semi-infinite isotropic solid. Scr. Met. 1969; 3. p. 607.
Honda Katsuhiko. Configurations, formation and Burgers vectors of coupled dislocations straddling a polygon wall in white tin single crystals. Jap. J. Appl. Phys. 1978; 17 (1), pp. 33-41.
Saada G. Elastic field of planar periodic dislocation networks in anisotropic materials. Phil. Mag. 1976; 16. pp. 755-759.
Marcinkowski MJ. Computer techniques employed in dislocation analyses. Adv. Mater. Res. 1971; 15. pp. 443-492.
Rosenfield AR., Hahn G.T. Linear arrays of misfit dislocations piling-up against an obstacle. Acta Met. 1968; 16. pp. 755-759.
Turunen MJ. Simulation of dislocation movements by a computer technique. Phil. Mag. 1974; 30, (5), pp. 1033-1041.
Yokobori AT, Yokobori T, Kamei A. Generalization of computer simulation of dislocation emission under constant rate of stress application. J. Appl. Phys. 1975 septiembre; 46 (9). pp. 3720-3724.
Zaitsev SI., Nadgornii EM. The movement of double-ended dislocations arrays through discrete obstacles. Phys. Stat. Sol. (a) 1975; 27 (49), pp. 49-59.
Gachevski V, Soloviev VA, Shermergor TD. Distribución de las dislocaciones cerca de la frontera de conjugación de las capas de estructuras semiconductoras. Fundamentos físicos de microelectrónica; 1979. pp. 29-36.
Gachevski V, Soloviev VA. Migración de las redes de dislocaciones en los materiales estratiformes. Técnica electrónica, I. Electrónica de Súper Alta Frecuencia (SHF). 1981; 4. pp. 15-16.
Kuang JG, Mura T. Dislocation pile-up in two-phase materials. J. Appl., Phys. 1968 enero; 39 (1), pp. 109-120.
Gachevski V, Soloviev VA, Shermergor TD. Distribución de dislocaciones en el campo de las tensiones elásticas a trozas. Fundamentos físicos de microelectrónica; 1979. pp. 37-45.
Chernov VM, Ivanov VV. The influence of elastic anisotropy on interaction of dislocations with point defects in BCC metals. Crystal Res. And Technol 1984; 19 (6), pp. 747-756.
Srolovitz DJ, Luton MJ, Petkovic-Luton R, Barnett DM, Nix WD. Diffusionally modified dislocation-particle elastic interactions. Acta Met. 1984; 32 (7), pp. 1079-1088.
Evans A, Deline VR, Evans Charles, Sigmon TW, Lidow Alexander. Redistribution of chromium upon post-implant annealing of selenium-implanted GaAs. IEEE Trans. Electron. Devices 1979; 26 (11). p. 1853.
Magee TJ, Peng J, Hong JD, Deline VR, Evans CA. Alloying of Au layers and redistribution of Cr in GaAs. Appl. Phys. Lett. 1979; 35 (8), pp. 615-617.
Magee TJ, Peng J, Hong JD, Katz W, Evans CA. Back surface getting of Au in GaAs. Phys. Stat. Sol. 1979; A55 (1), pp. 161-168.
Aristov VV, Bondarenko IE, Dryomova NN, Kazmiruk VV, Yakimov EB. The EBIC contrast of dislocation slip planes in silicon. Phys. Stat. Solidi 1984; A84 (1), pp. K43-K45.
Booyens H, Basson JH. Piezoelectrically induced charge distributions around dislocations in CdTe and HgCdTe. Phys. Stat. Sol. 1984; A85 (1), pp. 243-248.
Fuentes-Samaniego R, Hirth JP. Excess solute atmospheres carried by a potential well characteristic of a moving dislocation core. Phys. Stat. Sol. 1984; B125 (1), pp. 147-154.
Kataoka Toshihiko, Colombo Luigi, Li JCM. Direct measurements of dislocation charges in Ca2+- doped KCl by using large electric fields. Phil. Mag. 1984; A49 (3), pp. 395-407.
Kataoka Toshihiko, Colombo Luigi, Li JCM. Dislocation charges in Ca2+-doped KCl. Effects of impurity concentration and temperature. Phil. Mag. 1984; A49 (3), pp. 409-423.
Petroff PM, Kimerling LC. Dislocations climb model in compound semiconductors with zinc blend structure. Appl. Phys. Lett. 1976; 29, (8), pp. 461-463.
Magee TJ, Peng J, Hong JD, Evans CA, Deline VR. Getting of Cr in GaAs by back surface mechanical damage. Phys. Stat. Sol. 1979; A55 (1). pp. 169-172.
Gachevski V, Soloviev VA. Distribución de impureza en el campo de tensiones elásticas de la red de dislocaciones en la región de heterounión con la frontera ostensible. Técnica electrónica, I. Electrónica de Súper Alta Frecuencia (SHF); 1984 (6). pp. 32-33.
Augustus PD, Stirland DJ. Microscopy of semi-insulating gallium arsenide, - I. Micrisc. (Gr. Brit.). 1960; 118 (1). pp. 111-116
Magee TJ, Peng J, Hong JD, Evans CA, Deline VR, Malkon RM. Back surface getting of Au in GaAs. Phys. Sstat. Sol. 1979; A55 (1). pp. 161 - 168.
Hasegava F, Suga M. Effects of doping profile on the conversion efficiency of a Gunn diode. IEEE Tran. On Electron. Dev. 1972; 19 (1). pp. 26-37.
Heydenich J, Blumtrutt H, Gleichmann R, Johansen H. Combined application of the electrical activity of crystal defect in silicon. Scann Electron Micrisc. 1981; 1 (1). pp. 351-365.
Esaki L, Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. J. IBM Res. Develop. 1970; 14. pp. 61-75.
Ikuta Kenji, Ohara Takahito. Lifetime evaluation of denuded zone quality and intrinsic gettering effect on heavy metals. Jap. J. Appl. Phys. 1984; 23 (8). pp. 984 990.
Gachevski V, Soloviev VA. Distribución de la impureza en la región de los sistemas de dislocaciones cerca de la frontera de las capas de material. Memorias de la V Conferencia Interacción de los defectos de la red cristalina y propiedades de los materiales, Tula; 1982. pp. 12-15
Gachevski V. Programa del cálculo de la distribución de impureza en la región de la heterounión ostensible. Técnica electrónica, I. Electrónica de Súper Alta Frecuencia (SHF). 1983; 7. pp. 67-68.
Gachevski V. Programa del cálculo de la distribución de impureza y de trazo de las líneas de concentración constante cerca de la frontera de conjugación de las capas del material. Técnica Electrónica, I. Electrónica de Súper Alta Frecuencia (SHF). 1983; 8. p p. 67-68.
Koji T, Tseng W, Mayer J. Sidewall penetration of dislocations on ion implanted bipolar transistors. Appl. Phys. Letters 1978; 32. p. 749.
Koji T, Tseng W, Mayer I, Saganuma T. Effects of CVD oxide on phosphorus diffused emitters in silicon. IEEE Transact. On El. Dev. 1979; 26 (9), p. 1310.
Lester SD, Ponce FA, Crawford MG, Steigerwald DA. High dislocation densities in high efficiency GaN-based light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 1995; 66 (10). pp. 1249-1251.
Ponce FA, Bour DP. Nitride-based semiconductors for blue and green light emitting devices. Nature. 1997; 386. pp. 351-359.
Maradudin AA, Fundamental Aspects of Dislocation Theory, Nat. Bur. Stand.(US), Spec. Publ. 1970; 317. pp. 205-217.
Hirth JP, Lothe J. Theory of dislocations. Second edition. Krieger Publishing Company. Malabar, Florida; 1999 (19). pp. 731-734.
Gachevski V, Soloviev VA. Distribución de las dislocaciones cerca de la frontera de conjugación de las capas de las estructuras semiconductoras. Memorias de la VIII Conferencia de la URSS sobre Microelectrónica, 1978.
Gachevski V. Tensiones elásticas producidas por la serie de dislocaciones en las estructuras multicapas. XVII Congreso Nacional de Física, Medellín; 1997.
Gachevski V. Dislocaciones, series de dislocaciones, tensiones elásticas y redistribución de impureza en las estructuras multicapas. XVII Congreso Nacional de Física, Medellín; 1997.
Gachevski V. La serie de dislocaciones en estructura de tres capas. Revista Colombiana de Física 1996; 2. pp. 281-284.
Gachevski V. La serie de dislocaciones en estructura de tres capas. Resúmenes de la II Escuela de Física de la Materia Condensada, Bogotá: JU-P01; 1996.
Soloviev VA, Rusakova PA, Gachevski V. Desplazamientos elásticos cerca de las acumulaciones planas de las dislocaciones. Contraste elecronomicroscópico de los defectos tipo de acumulación. Informes de la Academia de Ciencias de la URSS. Física 1978; 239 (6). pp. 1327-1330.
Aya Baquero H, Rodríguez J, Gachevski V. Desplazamientos en el campo de las tensiones elásticas producidas por una serie de dislocaciones. XVIII Congreso Nacional de Física. Bogotá; 1999.
Gachevski V. Phonons in superlattice formed by screw dislocations. XV Symposium on Solid State Physics, SLAFES-XV. Cartagena; 1999.
Rodríguez J, Aya Baquero H, Gachevski V. Dislocations and lattice vibrations. XV Symposium on Solid State Physics, SLAFES-XV. Cartagena; 1999.
Gachevski V. Vibrations in Elastic Continuum with Uniform Distribution of Dislocations. Phys. Stat. Sol. (b) 2000; 220 (1), pp. 765-768.
François Leonard, Rashomo C- Dessai. Spinoidal decomposition and dislocation lines in thin films and bulk materials- Phys. Rev. B 1998; 58 (13), pp. 8277-8288.
Belk JG, Pashley DW, Jouce BA. Dislocation displacement field at the surface of InAs thin films grown on GaAs (110). Phys. Rev. B 1998; 58 (24), pp. 16194 16201.
Bonnet R., Elasticity theory of straight dislocations in a multilayer. Phys. Rev. B 1998; 53 (16), pp. 10978-10982.
Rebane YT, Steeds JW. Topological Interaction of Coulombic Impurity Centers with Dislocations in Semiconductors. Phys. Rev. Letters 1995; 75 (20), pp. 3716 3719.
Rebane YT. Gauge properties of k-p Hamiltonians for crystals with linear topological defects. - Phys. Rev. B 1995; 52 (3), pp. 1590-1595.
Lifshutz IM, Kosevich AM. The dynamics of a crystal lattice with defects, Rept. Progr. Phys. 1966; 29.(1). pp. 217-254.
John J. Sinai. Real-space Green´s-function approach applied to the phonon spectra of isolated impurities. Phys. Rev. B 1996; 54 (11). pp. 7937-7944.
Ostanin SA, Salamatov EI, Trubitsin VYu. Pressure effect on the transverse _-point optical phonon in hep Zr. Phys. Rev. B 1998; 58 (24), pp. R15962-R15964.
Komirenko SM, Kim KW, Stroscio MA, Kochelap VA. Renormalization of acoustic phonon spectra and rudiments of the Peierls transition in free-standing quantum wires. Phys. Rev. B 1998; 58 (24), pp. 16360-16368.
Iosilevski YaA. The Dynamics of the simple lattice with lineal defects. Phys. Of Solid State 1968; 10 (8), pp. 2531-2534.
Tewary VK. Lattice dynamics of a solid with screw dislocations. J. Phys., C: Solid State Phys. 1974; 7 (2), pp. 261-278.
Dubrovskii IM, Kovalev AS. Local vibrations in a crystal with a lineal screw dislocation. Low Temperature Physics 1976; 2 (11), pp. 1483-1489.
Kosevich AM. Long-wave quasiparticle states localized at screw dislocation. Low Temperature Physics 1978; 4 (2), pp. 903-914.
Lifshitz IM, Pushkarov KhI. Excitations localized at the crystals with dislocations. Letters of J. of Experimental and Theoretical Physics 1970; 11. pp. 456-459.
Dubrovskii IM. A new variation method in the problem on the spectrum of elementary excitations in an edge-dislocation crystal. Low Temperature Physics 1997; 23 (12), pp. 1300-1304.
Natsik VD, Smirnov SN. Oscillatory spectrum of dislocations interacting with impurities. Low Temperature Physics 1988; 14 (1), pp. 172-179.
Natsik VD, Smirnov SN. On dislocation contribution to low temperature heat capacity of crystal. Low Temperature Physics 1992; 18 (2), pp. 185-194.
Stehle H, Seeger A. Zs. Phys. 1956; 146. p. 217.
Seeger A, Stehle H. Zs. Phys. 1956; v. 146, p. 242.
SC, Nabarro FRN. Proc. Roy. Soc. 1953; A220. p. 542.
Dubrovskii IM. Effective wave equation for electrons in a crystal containing parallel screw dislocations. Ukrainian J. of Physics 1974; 19 (7), pp. 1107-1113.
Dubrovskii IM. Energy spectrum of electrons in a crystal containing a screw dislocation. Ukrainian J. of Physics; 20 (9). pp. 1535-1541.
Dubrovskii IM. Conduction electrons scattering by screw dislocation. Ukrainian J. of Phys.; 20 (9). pp. 1529-1534.
Sommerfeld A. Partial differential equations in physics. New York y Londres: Academic Press; , 1964.
Robinett RW. Quantum mechanics. New York, Oxford: Oxford University Press; 1997.
Kittel Ch. Theory of solid state. USA; 1996.
Peter YYu, Cordona Manuel. Fundamental of semiconductors. Berlin: Springer; 1996.
Kossevich A. The crystal lattice. Wiley-VCH; 1999.
Sommerfeld A. Mechanics of deformable bodies. New York and London: Academic Press; 1964.
Mura T. The continual theory of dislocations. Adv. Mat. Res. 1968; 3. p. 95.
Bogoliubov NN, Mitropol´ski Ju.A. Los métodos asintóticos en la teoría de las oscilaciones no lineales. Nauka M.; 1974.
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