DOI:

https://doi.org/10.14483/22487638.6162

Publicado:

01-07-2004

Número:

Vol. 8 Núm. 15 (2004): Julio - Diciembre 2004

Sección:

Re-creaciones

Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados

Autores/as

  • Fredy Hernán Martínez Sarmiento Universidad Distrital Francisco José de Caldas

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Resumen (es)

Este artículo describe en forma general las características técnicas más relevantes para seleccionar un transistor para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia en circuitos electrónicos de potencia. El análisis parte del hecho de la mayor densidad de corriente y, por tanto, del menor voltaje en conducción del IGBT frente al MOSFET; este último es el dispositivo más utilizado en los diseños de nuevos equipos de potencia en la actualidad. Esta diferencia fundamental afecta las pérdidas por conducción y por conmutación y, por eso se convierte en elemento clave en la selección de un transistor. El estudio se basa en el análisis de la información técnica suministrada por los fabricantes de MOSFET e IGBT de última generación, y de algunas pruebas de laboratorio desarrolladas por el grupo de investigación.

Biografía del autor/a

Fredy Hernán Martínez Sarmiento, Universidad Distrital Francisco José de Caldas

Ingeniero electricista. Docente de la Universidad Distrital Francisco José de Caldas. Bogotá.

Cómo citar

APA

Martínez Sarmiento, F. H. (2004). Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados. Tecnura, 8(15), 84–96. https://doi.org/10.14483/22487638.6162

ACM

[1]
Martínez Sarmiento, F.H. 2004. Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados. Tecnura. 8, 15 (jul. 2004), 84–96. DOI:https://doi.org/10.14483/22487638.6162.

ACS

(1)
Martínez Sarmiento, F. H. Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados. Tecnura 2004, 8, 84-96.

ABNT

MARTÍNEZ SARMIENTO, Fredy Hernán. Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados. Tecnura, [S. l.], v. 8, n. 15, p. 84–96, 2004. DOI: 10.14483/22487638.6162. Disponível em: https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/6162. Acesso em: 6 may. 2025.

Chicago

Martínez Sarmiento, Fredy Hernán. 2004. «Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados». Tecnura 8 (15):84-96. https://doi.org/10.14483/22487638.6162.

Harvard

Martínez Sarmiento, F. H. (2004) «Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados», Tecnura, 8(15), pp. 84–96. doi: 10.14483/22487638.6162.

IEEE

[1]
F. H. Martínez Sarmiento, «Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados», Tecnura, vol. 8, n.º 15, pp. 84–96, jul. 2004.

MLA

Martínez Sarmiento, Fredy Hernán. «Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados». Tecnura, vol. 8, n.º 15, julio de 2004, pp. 84-96, doi:10.14483/22487638.6162.

Turabian

Martínez Sarmiento, Fredy Hernán. «Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados». Tecnura 8, no. 15 (julio 1, 2004): 84–96. Accedido mayo 6, 2025. https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/6162.

Vancouver

1.
Martínez Sarmiento FH. Estudio de eficiencia en los MOSFET e IGBT para su utilización en convertidores de potencia conmutados. Tecnura [Internet]. 1 de julio de 2004 [citado 6 de mayo de 2025];8(15):84-96. Disponible en: https://revistas.udistrital.edu.co/index.php/Tecnura/article/view/6162

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